数据列表：BSR316P

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：360mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 360mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 170µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：165pF @ 25V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：PG-SC-59

其它名称：BSR316PL6327HTSA1SP000265407